আণবিক রশ্মির এপিট্যাক্সি উচ্চ ভ্যাকুয়াম বা অতি-উচ্চ ভ্যাকুয়ামে (১ x ১০) সম্পন্ন হয়েছিল।^-8(পা) পরিবেশ। আণবিক রশ্মি এপিট্যাক্সির সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ দিক হল এর কম জমার হার, যা সাধারণত ফিল্মকে প্রতি ঘন্টায় 3000 ন্যানোমিটারের কম হারে এপিট্যাক্সিয়ালভাবে বৃদ্ধি পেতে দেয়। এত কম জমার হারের জন্য অন্যান্য জমার পদ্ধতির মতো একই স্তরের পরিচ্ছন্নতা অর্জনের জন্য যথেষ্ট উচ্চ ভ্যাকুয়াম প্রয়োজন।

উপরে বর্ণিত অতি-উচ্চ ভ্যাকুয়াম পূরণের জন্য, MBE ডিভাইস (Knudsen কোষ) এর একটি শীতল স্তর রয়েছে এবং বৃদ্ধি চেম্বারের অতি-উচ্চ ভ্যাকুয়াম পরিবেশ একটি তরল নাইট্রোজেন সঞ্চালন ব্যবস্থা ব্যবহার করে বজায় রাখতে হবে। তরল নাইট্রোজেন ডিভাইসের অভ্যন্তরীণ তাপমাত্রা 77 কেলভিন (−196 °C) এ ঠান্ডা করে। নিম্ন তাপমাত্রার পরিবেশ ভ্যাকুয়ামে অমেধ্যের পরিমাণ আরও কমাতে পারে এবং পাতলা ফিল্ম জমার জন্য আরও ভাল পরিস্থিতি প্রদান করতে পারে। অতএব, MBE সরঞ্জামগুলির জন্য -196 °C তরল নাইট্রোজেনের অবিচ্ছিন্ন এবং স্থির সরবরাহ প্রদানের জন্য একটি নিবেদিত তরল নাইট্রোজেন শীতল সঞ্চালন ব্যবস্থা প্রয়োজন।